2014年三星存储器事业将以垂直堆叠为技术开发主轴，东芝亦于2014年第1季展开BiCS送样，可看出全球前两大NAND Flash厂于垂直堆叠NAND Flash发展脚步接近，且为因应制程微缩渐遇瓶颈，2014年此二家业者皆将加强发展NAND Flash垂直堆叠技术。全球存储器在20奈米以下更先进制程微缩渐遇瓶颈，主因除投资金额庞大外，尚需视上游设备大厂ASML于极紫外光(Extreme Ultraviolet；EUV)曝光设备开发进展所致。尽管全球DRAM市场现仅剩三家大厂，但市场竞争依然剧烈，龙头厂三星电子(Samsung Electronics)为维持其于存储器产业的领先地位，已订立新品抢先上市、突破技术瓶颈，及强化核心竞争力等三大策略。