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SVFP7N65CD(MJ)/平面高压MOS/士兰微代理

来源：未知 时间：2023-05-30 10:46 发布人：admin 阅读：
　　SVFP7N65CD(MJ)  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
　　
　　该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
　　
　　主要特点
　　
　　7A，650V，RDS(on)(典型值)=1.1W@VGS=10V
　　
　　低栅极电荷量
　　
　　低反向传输电容
　　
　　开关速度快
　　
　　提升了dv/dt能力
 
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