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据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示,到2026年,全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到13.3亿美金,复合增长率高达65%。
氮化镓因具备宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等优势,可以满足各种应用场景对高效率、低能耗、高性价比的要求,因此受到了市场关注。近期,“后起之秀”氮化镓再带来了新消息。
8月3日,意法半导体官微宣布,公司最近已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。
据介绍,STPOWER™ GaN晶体管是基于氮化镓(GaN)的高效晶体管,提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。
该系列先期推出的两款产品SGT120R65AL和SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™晶体管,采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装,额定电流分别为15A和25A,在25°C时的典型导通电阻(RDS(on))分别为75mΩ和49mΩ。
接下来几个月内,意法半导体还将推出新款PowerGaN产品,即车规器件,以及更多的功率封装形式,包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封装。
据江苏七都镇媒体报道,7月31日,2023年长三角生态绿色一体化发展示范区开发者大会在上海青浦区举办。
会上,七都镇政府与纳安半导体科技(苏州)有限公司就氮化镓单晶衬底项目进行签约。该项目占地1500平方米,总投资1.2亿元,投产后年产值在5亿元以上。
纳安半导体从事氮化镓晶片研究和产业化研发工作已有10余年,掌握了先进生产技术的整套工艺,并处于国际先进水平,目前该技术正转向规模化量产。
7月26日,美国电子电力制造商Bel Fuse宣布,他们将扩展 EOS Power 系列产品,新增2款型号器件,这些器件专为医疗应用而设计,采用新型高效氮化镓技术。
两款产品分别为MEPG300、MEPG500,输出功率依次为高达300W、500W的,两者功率损耗极小、易于热管理且效率高达94%,可应用于治疗设备、病床、成像设备、监控和手术设备、诊断和透析设备、药泵、家庭保健和超声波。
7月26日,台亚半导体召开法说会,透露氮化镓进展。
在氮化镓方面,产线承载过往硅功率元件的制程环境与技术经验,并购入专为氮化镓生产的有机金属化学气相沉积磊晶(MOCVD)等设备,已顺利试产首颗符合D-mode 650V氮化镓功率元件,在动、静态方面参数都可以达到业界标准,后续待客户验证完毕后,可望提供产品代工服务。
关于碳化硅、氮化镓投资方面,台亚预计未来新厂建置也是为了化合物半导体所建,目前规划未来碳化硅及氮化镓月产约近5000片,但此量额远不及未来电车与新能源市场需求,台亚集团已开始规划未来三年扩厂计划,争取4公顷铜锣区用地建置新厂,扩大碳化硅、氮化镓等生产线。
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