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DRV870xD-Q1器件是一款小型半桥栅极驱动器，它使用两个外部N通道MOSFET，旨在驱动单向刷式直流电机或电磁阀负载。

通过PWM接口，可轻松连接到控制器电路。内部传感放大器提供可调的电流控制。集成的电荷泵可提供100%占空比支持，而且可用于驱动外部反向电池开关。独立半桥模式支持半桥共享，能够以具有成本效益的方式顺序控制多个直流电机。这款栅极驱动器内置有相应的电路，能够使用关断时间固定的PWM电流斩波来调节绕组电流。

DRV870xD-Q1器件采用了智能栅极驱动技术，因此无需任何外部栅极组件（电阻器和齐纳二极管），同时可为外部FET提供保护。智能栅极驱动架构可优化死区时间以避免出现任何击穿问题，在通过可编程压摆率控制技术降低电磁干扰(EMI)方面带来了灵活性，而且可防止任何栅极短路问题。此外，该架构中还包括主动和被动下拉特性，可防止任何dv/dt栅极导通。

DRV870xD-Q1器件是一款小型半桥栅极驱动器，它使用两个外部N通道MOSFET，旨在驱动单向刷式直流电机或电磁阀负载。

通过PWM接口，可轻松连接到控制器电路。内部传感放大器提供可调的电流控制。集成的电荷泵可提供100%占空比支持，而且可用于驱动外部反向电池开关。独立半桥模式支持半桥共享，能够以具有成本效益的方式顺序控制多个直流电机。这款栅极驱动器内置有相应的电路，能够使用关断时间固定的PWM电流斩波来调节绕组电流。

DRV870xD-Q1器件采用了智能栅极驱动技术，因此无需任何外部栅极组件（电阻器和齐纳二极管），同时可为外部FET提供保护。智能栅极驱动架构可优化死区时间以避免出现任何击穿问题，在通过可编程压摆率控制技术降低电磁干扰(EMI)方面带来了灵活性，而且可防止任何栅极短路问题。此外，该架构中还包括主动和被动下拉特性，可防止任何dv/dt栅极导通。

特性

•符合面向汽车应用的应用

•器件温度等级1：环境工作温度范围为–40°C至+125°C

•单通道半桥栅极驱动器

•驱动两个外部N沟道MOSFET

•支持100%脉宽调制(PWM)占空比

•工作电源电压范围：5.5V至45V

•PWM控制接口

•用于配置的串行接口(DRV8703D-Q1)

•智能栅极驱动架构

•可调压摆率控制

•支持1.8V、3.3V和5V逻辑输入

•电流分流放大器

•集成PWM电流调节功能

•低功耗睡眠模式

•保护特性

•电源欠压锁定(UVLO)

•电荷泵欠压(CPUV)锁定

•过流保护(OCP)

•栅极驱动器故障(GDF)

•热关断(TSD)

•监视器计时器(DRV8703D-Q1)

•故障调节输出(nFAULT)