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DRV8701是一款采用4个外部N通道MOSFET的单路H桥栅极驱动器，主要用于驱动12V至24V双向有刷直流电机。该器件可通过PH/EN(DRV8701E)或PWM(DRV8701P)接口轻松连接控制器电路。内置的感测放大器能够实现可调节的电流控制。这款栅极驱动器内置有相应的电路，以便能够采用固定关断时间的PWM电流斩波来调节绕组电流。DRV8701采用9.5V VGS栅极驱动电压来驱动高侧和低侧FET。所有外部FET的栅极驱动电流均可通过IDRIVE引脚上的单个外部电阻进行配置。低功耗睡眠模式可将内部电路关断，从而实现极低的静态电流消耗。这种睡眠模式可通过将nSLEEP引脚置为低电平来设定。该器件内置以下保护功能：欠压锁定、电荷泵故障、过流关断、短路保护、前置驱动器故障以及过热保护。故障情况通过nFAULT引脚指示。

DRV8701是一款采用4个外部N通道MOSFET的单路H桥栅极驱动器，主要用于驱动12V至24V双向有刷直流电机。该器件可通过PH/EN(DRV8701E)或PWM(DRV8701P)接口轻松连接控制器电路。内置的感测放大器能够实现可调节的电流控制。这款栅极驱动器内置有相应的电路，以便能够采用固定关断时间的PWM电流斩波来调节绕组电流。DRV8701采用9.5V VGS栅极驱动电压来驱动高侧和低侧FET。所有外部FET的栅极驱动电流均可通过IDRIVE引脚上的单个外部电阻进行配置。低功耗睡眠模式可将内部电路关断，从而实现极低的静态电流消耗。这种睡眠模式可通过将nSLEEP引脚置为低电平来设定。该器件内置以下保护功能：欠压锁定、电荷泵故障、过流关断、短路保护、前置驱动器故障以及过热保护。故障情况通过nFAULT引脚指示。

特性

•单路H桥栅极驱动器

•驱动4个外部N通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)

•支持100%脉宽调制(PWM)占空比

•5.9V至45V工作电源电压范围

•两个控制接口选项

•PH/EN(DRV8701E)

•PWM(DRV8701P)

•可调节栅极驱动（5级）

•6mA至150mA拉电流

•12.5mA至300mA灌点流

•支持1.8V、3.3V和5V逻辑输入

•分流放大器(20V/V)

•集成PWM电流调节功能

•限制电机浪涌电流

•低功耗睡眠模式(9μA)

•两个低压降(LDO)稳压器，用于为外部元件供电

•AVDD：4.8V，最高支持30mA输出负载

•DVDD：3.3V，最高支持30mA输出负载

•小型封装尺寸

•24引脚超薄型四方扁平无引线(VQFN)(PowerPAD)

•4.0mm×4.0mm×0.9mm

•保护特性：

•VM欠压闭锁(UVLO)

•电荷泵电压(CPUV)

•过流保护(OCP)

•前置驱动器故障(PDF)

•热关断(TSD)

•故障状态输出(nFAULT)

应用

工业有刷直流电机

机器人

家庭自动化

工业泵和阀

电动工具

手持式真空吸尘器