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HUSB352/USB PD Source芯片|慧能泰

来源:未知 时间:2023-04-24 12:05 发布人:admin 阅读:
  产品概述是一款高集成、高性能的USB PD Source芯片,它集成了一个超低RDSON的N-MOSFET,支持18 W~36 W功率输出。 符合Type-C 2.1和USB PD3.1标准,支持PD3.0、PD2.0、PPS、QC2.0/QC3.0、FCP、AFC、BC1.2 DCP、SCP等协议,支持3个具有可编程电压和电流的FPDO 和2个APDO。它集成了过压保护(OVP)、欠压保护 (UVP)、欠压锁定(UVLO)、过流保护 (OCP) 、快速过流保护(FOCP)和热关断(TSD)等必需的保护。采用QFN-24L(4 mm x 4 mm)的封装形式,有利于小型化快充电源设计,适用于各类AC-DC电源适配器、车载充电器等应用。
  
  产品特性符合USB Type-C 2.1标准、PD3.1标准支持5 V、9 V、12 V 三个FPDO支持5 V Prog 和 9 V Prog 两个APDO支持BC1.2 DCP和HVDCP协议模式模式类AFC、FCP和SCP集成超低集成TL431,支持恒定电压(CV)回路控制和恒定电流(CC)回路控制集成了OVP、UVP、UVLO、OCP、FOCP和 TSD保护封装
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