纯国产闪存芯片重大突破：长江存储实现192层N

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来源：未知 时间：2022-05-19 11:07 发布人：admin 阅读：

根据相关消息报道，近日国产存储芯片大厂已经完成了192层的3D NAND闪存样品的自主研发，并在今年年底前会实现量产交付。而此前长江存储也表示已经推出了UFS3.1规格的通用闪存芯片—UC023。

　　这两则新闻意味着什么呢?其实对于国产存储芯片来说，这两则新闻意味着我国的国产芯片存储技术已经达到了全球第一梯队的水平。

首先是目前以量产水平来看，最高量产的NAND闪存层数为192层，而闪存规格来看，最高量产规格为UFS3.1，也就是说年底我们实现量产，在不出现新的竞争对手之前，我们的量产规格和层数都是最高的。

　　当然目前三星已经提出了UFS4.0规格，而美光前段时间推出了NAND闪存层数为232层的技术，三星也有突破200层的技术，只是都还没实现量产。

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